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參數資料
| 型號： | 2N6427/D26Z-J60Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2N6427/D26Z-J60Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6427/D27Z-J60Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6427/D26Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6427-J61Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6427/D74Z-J05Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6427/D27Z-J05Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6427G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6428 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2N6428A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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