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參數(shù)資料
型號: 2N6427/D89Z-J14Z
廠商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 35K
代理商: 2N6427/D89Z-J14Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
2N6427G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427RLRA 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427RLRAG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6428 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N6428A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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