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參數資料
| 型號： | 2N6427 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延硅達林頓晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2N6427 |
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jul 04
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2N6427
NPN Darlington transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6427 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 2N6427 | Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| 2N6427 | NPN Darlington Transistor |
| PIC18F2321 | 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology |
| PIC18F232 | High Performance, Low Power 8-Bit FLASH Microcontrollers(高性能、低功耗、8位閃速微控制器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6427_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor |
| 2N6427_D26Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427_D27Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427_D75Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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