- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370044 > 2N6428A (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6428A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2N6428A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6430 | COMPLEMENTART SILICON TRANSISTOR |
| 2N6474 | COMPLEMENTARY SILICON SWITCHING TRANSITORS |
| 2N6548 | Power Transistors |
| 2N6549 | Power Transistors |
| 2N6551 | Power Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6428ABU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6428ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6428ATA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6429 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| 2N6430 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。