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參數資料
| 型號： | 2N6487-DR6280 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | 2N6487-DR6280 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6489-6200 | 15 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6488-DR6280 | 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6489-6261 | 15 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6490-6261 | 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6487-6255 | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2N6488 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6488G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6489 | 制造商:n/a 功能描述:2N6489 S3B2F 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N6490 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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