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參數資料
型號: 2N6488-6203
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 265K
代理商: 2N6488-6203
相關PDF資料
PDF描述
2N6491-6203 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6490-6203 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6487-6200 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6488-6265 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6486-6258 15 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
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2N6489 制造商:n/a 功能描述:2N6489 S3B2F 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N649093 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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