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參數資料
| 型號： | 2N6500 |
| 英文描述： | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 高速外延硅NPN平面集熱三極管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | 2N6500 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3878 | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
| 2N3879 | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
| 2N3878 | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
| 2N5204 | 25 and 35 Amp RMS SCRs |
| 2N6895 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6502 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
| 2N6504 | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6504/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N6504_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6504G | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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