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參數資料
| 型號： | 2N6516J05Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2N6516J05Z |
2N6516
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Collector-Emitter Voltage: V
CEO=300V
Collector Dissipation: P
C (max)=625mW
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
°°C)
Refer to 2N6515 for graphs
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25
°°C)
* Pulse Test: Pulse Width
≤300s, Duty Cycle≤2%
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
TSTG
300
6
500
625
150
-55 ~ 150
V
mA
mW
°C
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Base Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Base Emitter On Voltage
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE (sat)
VBE (sat)
COB
fT
VBE(on)
IC=1mA, IB=0
IC=100
A, I
E=0
IE=10
A, I
C=0
VCB=200V, IE=0
VBE=5V, IC=0
IC=1mA, VCE=10V
IC=10mA, VCE=10V
IC=30mA, VCE=10V
IC=50mA, VCE=10V
IC=100mA, VCE=10V
IC=10mA, IB=1mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=30mA, IB=3mA
IC=50mA, IB=5mA
IC=10mA, IB=1mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=30mA, IB=3mA
VCB=20V, IE=0
f=1MHz
IC=10mA, VCE=20V
IC=100mA, VCE=10V
300
6
30
45
40
20
40
50
270
200
0.3
0.35
0.5
1
0.75
0.85
0.9
6
200
2
V
nA
V
pF
MHz
V
TO-92
1.Emitter 2. Base 3. Collector
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6516 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6517J05Z | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6517D74Z | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6518J18Z | 500 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2N6517 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2N6517BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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