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參數資料
型號: 2N6517TRD
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 406K
代理商: 2N6517TRD
相關PDF資料
PDF描述
2N4400TRB 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5223-18FLEADFREE 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4264-18FLEADFREE 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4402-18FLEADFREE 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3392 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-98
相關代理商/技術參數
參數描述
2N6518 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
2N6518BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6518TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6518TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519 制造商:n/a 功能描述:2N6519 TO92 N9H1C
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