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參數資料
| 型號： | 2N6520D27Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N6520D27Z |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
2N65
20
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
a=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
-350
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-350
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5
V
IC
Collector Current
-500
mA
IB
Base Current
-250
mA
PC
Collector Power Dissipation
0.625
W
Derate above 25
5
mW/
°C
TJ
Junction Temperature
50
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC= -100A, IE=0
-350
V
BVCEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC= -1mA, IB=0
-350
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= -10A, IC=0
-5
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB= -250V, IE=0
-50
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB= -4V, IC=0
-50
nA
hFE
* DC Current Gain
VCE= -10V, IC= -1mA
VCE= -10V, IC= -10mA
VCE= -10V, IC= -30mA
VCE= -10V, IC= -50mA
VCE= -10V, IC= -100mA
20
30
20
15
200
VCE (sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= -10mA, IB= -1mA
IC= -20mA, IB= -2mA
IC= -30mA, IB= -3mA
IC= -50mA, IB= -5mA
-0.30
-0.35
-0.50
-1
V
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC= -10mA, IB= -1mA
IC= -20mA, IB= -2mA
IC= -30mA, IB= -3mA
-0.75
-0.85
-0.90
V
VBE (on)
Base-Emitter On Voltage
VCE= -10V, IC= -100mA
-2
V
fT
* Current Gain Bandwidth Product
VCE= -20V, IC= -10mA, f=20MHz
40
200
MHz
Cob
Output Capacitance
VCB= -20V, IE=0, f=1MHz
6
pF
CEB
Emitter-Base Capacitance
VEB= -0.5V, IC=0, f=1MHz
100
pF
tON
Turn On Time
VBE (off)= -2V, VCC= -100V
IC= -50mA, IB1= -10mA
200
ns
tOFF
Turn Off Time
VCC= -100V, IC= -50mA
IB1=IB2= -10mA
3.5
ns
2N6520
High Voltage Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO= -350V
Collector Dissipation: PC (max)=625mW
Complement to 2N6517
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述 |
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| 2N6520D75Z | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6534BR1 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6534 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2N6520RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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