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參數資料
| 型號： | 2N652 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | alloy-junction germanium transistors |
| 中文描述： | 合金結鍺晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | 2N652 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N1008A | alloy-junction germanium transistors |
| 2N1008B | alloy-junction germanium transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6520 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
| 2N6520BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6520RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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