- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33288 > 2N6579 (GENERAL SEMICONDUCTOR INC) 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6579 |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | 2N6579 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6585R1 | 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N6585.MODR1 | 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N6587 | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N6587-JQR-A | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N6448 | 10 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N657A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N658 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
| 2N6580 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 400V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6581 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 450V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6582 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
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