- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370044 > 2N6607 (CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP) SCRs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N6607 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | SCRs |
| 中文描述： | 1.6 A, SCR, TO-18 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2N6607 |
SCRs
(Continued)
181
www.centralsemi.com
IT(AMPS)
1.6
4.0
@ TC(
o
C)
ITSM(AMPS)
55
90
85
85
30
6.0
35
30
30
20
CASE
TO-18
TO-39
TO-202
TO-202-2
TO-202
VRRM(VOLTS)
50
2N6605
60
2N6606
100
2N6607
C106A1
200
2N6608
CS39-4B
CS202-4B
CS202-4B-2
C106B1
300
C106C1
400
CS39-4D
CS202-4D
CS202-4D-2
C106D1
500
C106E1
600
CS39-4M
CS202-4M
CS202-4M-2
C106M1
800
CS39-4N
IGT
VGT
200
μ
A
200
μ
A
200
μ
A
200
μ
A
200
μ
A
0.8V
0.8V
0.8V
0.8V
0.8V
IH
5.0mA
5.0mA
5.0mA
5.0mA
5.0mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6608 | SCRs |
| 2N660 | alloy-junction germanium transistors |
| 2N6660 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流1.1A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 2N6661 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V,夾斷電流0.9A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 2N6726 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6608 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS |
| 2N6609 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 150W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6609 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3 |
| 2N6609G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 150W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N661 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:alloy-junction germanium transistors |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。