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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6653 |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | 2N6653 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6659B | 1400 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6659 | 35 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6659 | 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N4351 | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72 |
| 2N6660-JQR-B | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6654 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N6655 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
| 2N6658 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3 |
| 2N6659 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6659-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk |
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