- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33291 > 2N6660-SM (SEMELAB LTD) 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N6660-SM |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2N6660-SM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6661LCC4-JQR-B | 0.9 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6797LCC4 | 5.5 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6797LCC4-JQR-A | 5.5 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6756R1 | 14 A, 100 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| 2N6791LCC4-JQR-BE4 | 2 A, 350 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6660X | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N6661 | 功能描述:MOSFET 90V 4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6661_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6661_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
| 2N6661-2 | 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。