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參數資料
型號: 2N6661
廠商: SUPERTEX INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述: 350 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
封裝: TO-39, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 17K
代理商: 2N6661
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PDF描述
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參數描述
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2N6661_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET
2N6661-2 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6661CSM4 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N6661DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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