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參數資料
型號: 2N6667
廠商: Boca Semiconductor Corp.
英文描述: PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS
中文描述: 塑料中功率硅晶體管
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 151K
代理商: 2N6667
A
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PDF描述
2N6668 PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS
2N6666 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6667 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6668 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6668 Mini size of Discrete semiconductor elements
相關代理商/技術參數
參數描述
2N6667_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
2N6667_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors
2N6667G 功能描述:達林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
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