- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄49821 > 2N6667 (MICROSEMI CORP) 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N6667 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2N6667 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3189 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N6666 | 8 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2N3183 | 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5867 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3165 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6667_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W |
| 2N6667_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors |
| 2N6667G | 功能描述:達林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6668 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6668 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。