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參數資料
型號: 2N6668
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商: 2N6668
2N6668
SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
s
PNP DARLINGTON
s
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATIONS:
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
December 2000
R1(typ) = 8 k
R2(typ) = 120
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
80
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
80
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector Current
10
A
ICM
Collector Peak Current
15
A
IB
Base Current
250
mA
Ptot
Total Dissipation at Tc
≤ 25 oC65
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
oC
For PNP type voltage and current values are negative.
1
2
3
TO-220
1/4
相關PDF資料
PDF描述
2N6671 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6671 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6672R1 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6675 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6702 7 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相關代理商/技術參數
參數描述
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6672 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6673 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 400V 8A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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