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參數(shù)資料
型號(hào): 2N6714
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
中文描述: 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA
封裝: TO-237, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 43K
代理商: 2N6714
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
Designed for General purpose Medium Power Amplifier and Switching Circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6714
2N6715
2N6716
Units
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
30
40
60
V
Collector-Base Voltage
V
CBO
40
50
60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-
5.0
-
V
Collector Current – Continuous
I
C
-
1.5
-
A
Power Dissipation @ Ta=25oC
P
D
-
850
-
mW
Operating And Storage Junction
Temperature Range
T
j
,T
stg
-55 to +150
o C
2N6714
2N6715
2N6716
1 = EMITTER
2 = BASE
3 = COLLECTOR
1 2 3
E B C
TO-237 Plastic Package
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6714 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6715 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6716 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6718-A-AB3-B NPN GENERAL PLANAR TRANSISTOR
2N6718L-B-AB3-K NPN GENERAL PLANAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6714 LEDFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT Complimentary Power PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6714STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6714STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6714STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6715 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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