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參數資料
型號： 2N6731
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power Transistors
中文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA
封裝： TO-237, 3 PIN
文件頁數： 1/1頁
文件大小： 50K
代理商： 2N6731
www.centralsemi.com
Power Transistors
TO-237 Case
95
** Not recommended for new designs.
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
*BVCES
(V)
MIN
30
40
60
80
100
300
150
200
250
300
40
50
80
200
250
300
45
30
40
60
80
100
300
30*
30*
300
65
40
60
80
80
40
30
50
hFE
@ IC
VCE(SAT)
@ IC
fT
(A)
MAX
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
0.5
0.5
0.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
0.5
1.0
0.8
0.8
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
(W)
(V)
MIN
40
50
60
80
100
300
175
225
275
325
50
60
100
200
250
300
80
40
50
60
80
100
300
30
30
300
120
75
60
140
140
60
50
80
(A)
(V)
MAX
0.5
0.5
0.35
0.35
0.35
- -
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
0.35
2.0
2.0
2.0
0.52
0.7
0.7
0.5
0.5
0.5
0.75
1.5
1.5
0.5
0.5
1.6
1.6
0.5
0.5
1.4
0.42
0.52
(A)
(MHz)
MIN
50
50
50
50
50
30
30
30
30
30
1.0
1.0
50
50
50
50
300
50
50
50
50
50
50
125
125
50
60
300
200
100
80
100
300
300
NPN
PNP
MIN
50
50
50
50
50
40
10
10
10
10
4,000
4,000
100
40
40
40
35
60
60
80
80
80
25
10,000
20,000
40
40
100
100
100
40
50
35
35
MAX
250
250
250
250
250
200
50
50
50
50
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40,000
300
200
200
200
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
120
300
300
300
120
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- -
- -
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2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1,000
1,000
250
250
250
30
500
500
500
500
1,000
1,000
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10
10
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100
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50
50
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100
10
150
150
150
150
150
150
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500
1,000
1,000
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250
250
- -
100
100
100
100
200
200
350
20
20
20
500
1,000
1,000
250
250
250
20
100
100
20
150
500
500
500
500
150
500
500
2N6732
CENW51
CENW51A
CENW55
CENW56
CENW57
CENW60
CENW63
CENW64
CENW92
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2N6731STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6731STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6731STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6732 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6732STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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