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參數(shù)資料
型號: 2N7000RLRA
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
產(chǎn)品變化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 10
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V
功率 - 最大: 350mW
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-92-3
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: 2N7000RLRAOSCT
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