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參數(shù)資料
型號: 2N7002-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
標準包裝: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 115mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 200mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-236
包裝: 帶卷 (TR)
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