| 型號： | 2N7002-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 標準包裝： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝： | TO-236 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |