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參數資料
| 型號： | 2N7002 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | DMOS Transistors (N-Channel)(DMOS晶體管（N通道）) |
| 中文描述： | DMOS晶體管（N溝道）（的DMOS晶體管（不適用通道）） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | 2N7002 |
FEATURES
DMOS Transistors (N-Channel)
Dimensions in inches and (millimeters)
.016 (0.4)
)
.037(0.95).037(0.95)
m
.122 (3.1)
.118 (3.0)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
3
1
2
Top View
.102 (2.6)
.094 (2.4)
.
.
)
.
.
Case:
SOT-23 Plastic Package
Weight:
approx. 0.008 g
Marking
S72
MECHANICAL DATA
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
Pin configuration
1 = Gate, 2 = Source, 3 = Drain
SOT-23
4/98
2N7002
Inverse Diode
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
60
V
Drain-Gate Voltage
V
DGS
60
V
Gate-Source-Voltage (pulsed)
V
GS
±20
V
Drain Current (continuous)
I
D
250
mA
Power Dissipation at T
C
= 50 °C
P
tot
0.310
1)
W
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
S
–55 to +150
°C
1)
Ceramic Substrate 0.7mm; 2.5 cm
2
area.
Symbol
Value
Unit
Max. Forward Current (continuous)
at T
amb
= 25 °C
I
F
0.3
A
Forward Voltage Drop (typ.)
at V
GS
= 0, I
F
= 0.3 A, T
j
= 25 °C
V
F
0.85
V
High input impedance
High-speed switching
No minority carrier storage time
CMOS logic compatible input
No minority carrier storage time
CMOS logic compatible input
No thermal runaway
No secondary breakdown
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2N7002 L6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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