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參數資料
| 型號： | 2N7002 |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | 2N7002 |
DS11303 Rev. J-2
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2N7002
2N7002
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
Low On-Resistance: RDS(ON)
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Maximum Ratings
@ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Units
Drain-Source Voltage
VDSS
60
V
Drain-Gate Voltage RGS
≤ 1.0M
VDGR
60
V
Gate-Source Voltage
Continuous
Pulsed
VGSS
±20
±40
V
Drain Current (Note 1)
Continuous
Continuous @ 100°C
Pulsed
ID
115
73
800
mA
Total Power Dissipation (Note 1)
Derating above TA = 25°C
Pd
200
1.60
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RθJA
625
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj,TSTG
-55 to +150
°C
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at specified ambient temperature.
2. Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2%.
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: K72, K7A
Weight: 0.008 grams (approx.)
Mechanical Data
A
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
TOP VIEW
D
S
G
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
POWER SEMICONDUCTOR
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PDF描述 |
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