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參數資料
| 型號： | 2N7052D26Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | 2N7052D26Z |
2N7052
/
2N7053
/
NZT7053
2N7052
NZT7053
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high
gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage.
Sourced from Process 06.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100
V
VCBO
Collector-Base Voltage
100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
12
V
IC
Collector Current - Continuous
1.5
A
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
C
B
E
TO-92
B
C
SOT-223
E
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N7052
2N7053
*NZT7053
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
1,000
8.0
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
125
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
50
125
°C/W
2N7053
TO-226
C
B
E
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7053/D27Z-J05Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N7053-J61Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N7052-J61Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N7053/D75Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N7053-J05Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N7053 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N7053_D26Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N7053_D74Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N7053_D75Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N7053_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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