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參數資料
| 型號： | 2N720 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE |
| 中文描述： | 高壓一般用途 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2N720 |
2N720A
October 1988
HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE
DESCRIPTION
The 2N720A is a silicon planar epitaxial NPN tran-
sistor in Jedec TO-18 metal case. It is suitable for a
wide variety of amplifier and switchingapplications.
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Parameter
Value
120
80
7
500
0.5
1.8
Unit
V
V
V
mA
W
W
°
C
Collector-base Voltage (I
E
= 0)
Collector–emitter Voltage (I
R
= 0)
Emitter–base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Power Dissipation at T
amb
≤
25
°
C
at T
case
≤
25
°
C
T
stg
, T
j
Storage and Junction Temperature
– 65 to 200
TO-18
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N720A | HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE |
| 2N7219 | 200V, 18A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(200V, 18A,N溝道，增強模式功率MOS場效應管) |
| 2N7221 | 400V, 10A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(400V, 10A,N溝道，增強模式功率MOS場效應管) |
| 2N7218 | 100V, 28A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 28A,N溝道，增強模式功率MOS場效應管) |
| 2N7222 | 500V, 8A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(500V, 8A,N溝道，增強模式功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N720A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N720A_02 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN |
| 2N720AJAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 |
| 2N720AS | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |
| 2N721 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
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