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參數資料
| 型號： | 2N760B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|到18 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2N760B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2060A | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N2060A | Dual Amplifier Transistor（Small Signal Dual Transistor in a TO-77 Hermetic Package）(具有放大器功能的雙晶體管（TO-77封裝兩個小信號晶體管）) |
| 2N2060 | Silicon NPN Transistor |
| 2N2060 | Dual Transistors |
| 2N2060A | Dual Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N7622U2 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| 2N7632UC | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET |
| 2N7635-GA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7636-GA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7637-GA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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