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參數(shù)資料
| 型號： | 2N917LEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 封裝： | TO-72, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2N917LEADFREE |
Small Signal NPN Transistors
TO-72 Case
www.centr alsemi.com
Dual Transistors
TO-71 Case
PD @ TA=25
oC=360mW Total (Both Die Equal Power)
TYPE NO.
DESCRIPTION
VCBO VCEO VEBO ICBO @VCB
hFE
@ IC @VCE
VCE (SAT) @ IC
fT
Cob
(V)
(
A)
(V)
(mA)
(V)
(mA)
(MHz)
*Ccb
(pF)
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
2N917
RF/IF OSCILLATOR
30
15
3.0
0.001
15
20
- -
3.0
1.0
0.5
3.0
500
1.7
2N917A RF/IF OSCILLATOR
30
15
3.0
- -
20
200
3.0
10
- -
600
1.7
2N918
RF/IF OSCILLATOR
30
15
3.0
0.01
15
20
- -
3.0
1.0
0.4
10
600
1.7
2N998
DARLINGTON
100
60
15
0.01
90
1,600 8,000
10
5.0
1.8
100
60
30
2N2857
VHF/UHF OSC
30
15
2.5
0.01
15
30
150
3.0
1.0
- -
1,000
1.0*
2N2865
RF/IF OSCILLATOR
25
13
3.0
0.01
15
20
200
4.0
10
0.4
10
600
2.5
2N3478
VHF/UHF LOW NOISE
30
15
2.0
0.02
1.0
25
150
2.0
8.0
- -
750
1.0*
2N3839
VHF/UHF AMPL/OSC
30
15
2.5
0.01
15
30
150
3.0
1.0
- -
1,000
1.0*
2N5179
VHF/UHF AMPL/OSC
20
12
2.5
0.02
15
25
250
3.0
1.0
0.4
10
900
1.0*
BFY90
VHF/UHF AMPL/OSC
30
15
2.5
0.01
15
20
125
25
1.0
- -
1,000
1.5*
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
DESCRIPTION
VCBO VCEO VEBO ICBO @VCB
hFE
@ IC @VCE VCE (SAT) @ IC
MATCHING
(V)
(nA)
(V)
(mA)
(V)
(mA)
hFE
VBE
MIN
MAX
MIN
MAX
%
(mV)
CEN741
NPN LOW NOISE
45
6.0
10
45
150
600
0.01
5.0
0.35
1.0
20
5.0
CEN832
PNP LOW NOISE
60
5.0
10
50
150
450
1.0
5.0
0.25
1.0
20
5.0
(6-December 2004)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N998LEADFREE | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 2N2865LEADFREE | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 2N3839LEADFREE | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 2N5189 | 2000 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5190LEADFREE | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N918 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VHF Osc RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N918_04 | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |
| 2N918_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N918ACSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
| 2N918ADCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ELECTRICAL CHARACTERISTICS |
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