- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33302 > 2PB709AQW (NXP SEMICONDUCTORS) 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2PB709AQW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | 2PB709AQW |
DATA SHEET
Product data sheet
2002 Jun 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB709AW
PNP general purpose transistor
dbook, halfpage
M3D114
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PB709AR,115 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2PB710Q-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710R-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710Q | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710S | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PB709AQW,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709AR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
| 2PB709AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709ARL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。