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參數資料
| 型號： | 2PB709AR |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2PB709AR |
DATA SHEET
Product specification
2002 Jun 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB709AW
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PB709AS | PNP general purpose transistor |
| 2PB710 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR |
| 2PC1815BLAMO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
| 2PC1815GRAMO | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2PC1815LBL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PB709AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709ARL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors |
| 2PB709ARL,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 100MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709ARL,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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