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參數資料
| 型號： | 2PD602AR |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Paper Capacitor; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Paper; Capacitance:3uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:20.64mm; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:A; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2PD602AR |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 20
1999 Apr 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PD602A
NPN general purpose transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD602AS | Paper Capacitor; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Paper; Capacitance:3uF; Capacitance Tolerance: 10%; Lead Pitch:20.64mm; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:A; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| 2PF140 | Fast Recovery Axial Rectifier. 12000 V. Io=0.225 A |
| 2PF140 | Axialleaded Hermetically Sealed Fast Recovery Rectifier Diode(軸向引腳，密封型，反向電壓12kV，平均正向電流225mA,快速恢復整流二極管) |
| 2PFF0 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2PFF2 | Superfast Axial Rectifier. 200 V-1000 V. Io=2.0 A |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PD602AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602ARL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors |
| 2PD602ARL,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602ARL,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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