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參數資料
| 型號： | 2PD602ARL/DG |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2PD602ARL/DG |
1.
Product prole
1.1 General description
NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
[1]
/DG: halogen-free
1.2 Features
I General-purpose transistors
I Three current gain selections
I AEC-Q101 qualied
I Small SMD plastic package
1.3 Applications
I General-purpose switching and amplication
1.4 Quick reference data
2PD602AQL; 2PD602ARL;
2PD602ASL
50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 01 — 27 October 2008
Product data sheet
Table 1.
Product overview
Type number[1]
Package
PNP complement
NXP
JEDEC
2PD602AQL
SOT23
TO-236AB
-
2PD602ARL
2PB710ARL
2PD602ASL
2PB710ASL
2PD602AQL/DG
SOT23
TO-236AB
-
2PD602ARL/DG
2PB710ARL/DG
2PD602ASL/DG
2PB710ASL/DG
Table 2.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
50
V
IC
collector current
-
500
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD602AQL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PG001 | 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2PG003 | 40 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2S033R1 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2S103G4 | 50 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PD602AS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
| 2PD602AS,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602ASL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors |
| 2PD602ASL,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD602ASL,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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