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參數(shù)資料
型號: 2SA1013O
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 160V五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92
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代理商: 2SA1013O
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA1013-O(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 160V, 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1013-O,T6MIBF(J 功能描述:TRANS PNP 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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