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參數資料
| 型號： | 2SA1020-O-T9N-K |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92NL, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | 2SA1020-O-T9N-K |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SA1020
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R211-007,B
S ILICON PNP EPIT AX IAL
T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SA1020 is designed for power amplifier and power
switching applications.
FEAT URES
*Low collector saturation voltage:
V
CE(SAT)
=-0.5V(max.) (I
C
=-1A)
*High speed switching time: t
STG
=1.0
μ
s(Typ.)
*Complement to UTC 2SC2655
1
SOT-89
TO-92NL
1
*Pb-free plating product number:2SA1020L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
E
C
E
C
Normal
Lead Free Plating
2SA1020L-x-AB3-R
2SA1020L-x-T9N-B
2SA1020L-x-T9N-K
Package
3
E
B
B
Packing
2SA1020-x-AB3-R
2SA1020-x-T9N-B
2SA1020-x-T9N-K
SOT-89
TO-92NL
TO-92NL
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2SA1020L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, T9N: TO-92NL
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1020-O-T9N-R | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-X-AB3-R | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-X-T9N-B | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-X-T9N-K | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-Y-AB3-B | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1020-O-T9N-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020PT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:2SA1020PT |
| 2SA1020RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1W High Current PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1020RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1W High Current PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1020-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
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