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參數資料
| 型號： | 2SA1020-Y-T9N-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅外延晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | 2SA1020-Y-T9N-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SA1020
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R211-007,B
S ILICON PNP EPIT AX IAL
T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SA1020 is designed for power amplifier and power
switching applications.
FEAT URES
*Low collector saturation voltage:
V
CE(SAT)
=-0.5V(max.) (I
C
=-1A)
*High speed switching time: t
STG
=1.0
μ
s(Typ.)
*Complement to UTC 2SC2655
1
SOT-89
TO-92NL
1
*Pb-free plating product number:2SA1020L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
E
C
E
C
Normal
Lead Free Plating
2SA1020L-x-AB3-R
2SA1020L-x-T9N-B
2SA1020L-x-T9N-K
Package
3
E
B
B
Packing
2SA1020-x-AB3-R
2SA1020-x-T9N-B
2SA1020-x-T9N-K
SOT-89
TO-92NL
TO-92NL
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2SA1020L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, T9N: TO-92NL
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1020L-O-AB3-K | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020L-O-AB3-R | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020L-O-T9N-B | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020L-O-T9N-K | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020L-O-T9N-R | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1020-YTE6CM | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 2A 3PIN TO-92 MOD - Tape and Reel |
| 2SA1020-YTE6FM | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:POWER TRANSISTOR |
| 2SA1021 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2SA1022 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. SC-59-30V -.03A .2WSURFACE MOUNT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA10220BL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA MINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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