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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1020 |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SA1020 |
UTC 2SA1020
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
1
QW-R208-021,A
SILICON PNP EPITAXIAL
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SA1020 is designed for power amplifier and
power switching applications.
FEATURES
*Low collector saturation voltage:
VCE(sat)=-0.5V(max.) (IC=-1A)
*High speed switching time: tstg=1.0
μ
s(Typ.)
*Complement to UTC 2SC2655
SOT-89
1
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta=25
°
C)
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
* : Mounted on cermic substrate( 250mm
2
×
0.8t )
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
Collector cut-off current
I
CBO
Emitter cut-off current
I
EBO
Collector to emitter breakdown
voltage
DC Current Gain
h
FE1
h
FE2
Collector to emitter saturation
voltage
Base to emitter saturation voltage
V
BE(sat)
Transition frequency
Collector output capacitance
Cob
Turn-on time
ton
Storage time
tstg
Fall time
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
P
C
P
C
*
T
j
T
STG
VALUE
-50
-50
-5
-2
0.5
1
150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
A
W
W
°
C
°
C
TEST CONDITIONS
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
Ic=-10mA, I
B
=0
MIN
TYP
MAX
-1.0
-1.0
UNIT
μ
A
μ
A
V
V
(BR)CEO
-50
V
CE
=-2V, I
C
=-0.5A
V
CE
=-2V, I
C
=-1.5A
Ic=-1A, I
B
=-0.05A
70
40
240
V
CE(sat)
-0.5
V
Ic=-1A, I
B
=-0.05A
V
CE
=-2V, Ic=-0.5A
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
-1.2
V
f
T
100
40
0.1
1.0
0.1
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
Switching time
tf
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1020 | TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SA1020 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1029 | Silicon PNP Epitaxial(小信號晶體管) |
| 2SA1030 | Silicon PNP Epitaxial(小信號晶體管) |
| 2SA1156K | TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1020_05 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
| 2SA1020_10 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Plastic Encapsulated Transistor |
| 2SA1020_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020A,NSEIKIF(J | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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