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參數資料
型號: 2SA1020Y
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 167K
代理商: 2SA1020Y
2SA1020
2010-11-09
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1020
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
High collector power dissipation: PC = 900 mW
High-speed switching: tstg = 1.0 μs (typ.)
Complementary to 2SC2655
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
0.2
A
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
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PDF描述
2SA1020O 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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