型號: | 2SA1083RF |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 100K |
代理商: | 2SA1083RF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK1869(S)TR | 7 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK1151(S)TL | 1.5 A, 450 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK1697EY | 0.5 A, 60 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SA1122CC | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC2734GC | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SA1084 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SA1084D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
2SA1084E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
2SA1084ETZ | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SA1084ETZ-E | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |