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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1084E |
| 英文描述： | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 中文描述： | 5個(gè)引腳µ帶看門狗和手動(dòng)復(fù)位的P監(jiān)控電路 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SA1084E |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1085D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1085E | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1090 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
| 2SA1091O | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1091R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1084ETZ | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1084ETZ-E | 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1085 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1085D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1085DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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