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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1127 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 中文描述： | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SA1127 |
1
Transistor
2SA1127
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
Complementary to 2SC2634
I
Features
G
Low noise characteristics.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO–92
EIAJ:SC–43A
5.0
±
0.2
4.0
±
0.2
5
±
0
1
±
0
0.45
+0.2
0.45
+0.2
1.27
1.27
2
±
0
2.54
±
0.15
2
1
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–60
–55
–7
–200
–100
400
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter voltage
Transition frequency
Noise voltage
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
V
BE
f
T
NV
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
CE
= –10V, I
B
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –5V, I
C
= –2mA
I
C
= –100mA, I
B
= –10mA
V
CE
= –1V, I
C
= –30mA
V
CB
= –5V, I
E
= 2mA, f = 200MHz
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
min
–60
–55
–7
180
typ
–1
– 0.01
200
max
–100
–1
700
– 0.6
–1
150
Unit
nA
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
mV
*
h
FE
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE
180 ~ 360
260 ~ 520
360 ~ 700
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1128 | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SA1135 | 2SA1135 |
| 2SA1141 | 2SA1141 2SC2681 |
| 2SC2681 | 2SA1141 2SC2681 |
| 2SA1145 | TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA11270RA | 功能描述:TRANS PNP 55VCEO 100MA TO-92 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1127R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1127S | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1127-ST | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1127T | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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