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參數資料
| 型號： | 2SA1163GR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 120伏特五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236AB |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SA1163GR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SA1163-GR(T5L,F,T | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SA1163-GR(T5L,F,T 77 TRANSISTOR |
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| 2SA1163-GR(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1163-GR,LF | 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
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