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參數資料
| 型號： | 2SA1182TE85R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SA1182TE85R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1182YTE85L | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1182TE85L | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1189-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1189-D | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1189 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1182Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| 2SA1182-Y | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1182-Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1182-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
| 2SA1182-Y-TE85L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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