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參數資料
型號: 2SA1194
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial
中文描述: 硅外延進步黨
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 35K
代理商: 2SA1194
2SA1194(K)
Silicon PNP Epitaxial
Application
High gain amplifier
Outline
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
123
3
2
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
–60
V
Collector to emitter voltage
–60
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–1
A
Collector peak current
–2
A
Collector power dissipation
1
W
8
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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參數描述
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