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參數資料
型號: 2SA1255
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: 2-3F1A, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 112K
代理商: 2SA1255
2SA1255
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Triple Diffused (PCT process)
2SA1255
High Voltage Switching Applications
High voltage: VCBO = 200 V (min)
VCEO = 200 V (min)
Small package
Complementary to 2SC3138
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-200
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-200
V
Emitter-base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
IC
-50
mA
Base current
IB
-20
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Marking
Unit: mm
JEDEC
TO-236MOD
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
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