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參數資料
| 型號： | 2SA1297 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（功率放大器，開關應用） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | 2SA1297 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SA1304 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS) |
| 2SA1309A | Silicon PNP epitaxial planer type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1297-GR(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1297-Y(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1298-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1298-Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1298-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
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