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參數資料
| 型號： | 2SA1310R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 55V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SPAK |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | 2SA1310R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1310S | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1310T | TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
| 2SA1312BL | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1312GR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 2SA1313O | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1312-BL(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1312-BL(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PNP 120V TRANSISTOR. - Tape and Reel |
| 2SA1312-GR(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1312GRTE85LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1313-O(TE85L,F) | 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
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