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參數資料
| 型號： | 2SA1312TE85R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SA1312TE85R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1313YTE85L | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1314-A | 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1314-B | 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1315-Y-TPE6 | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1315-O-TPE6 | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1313-O(TE85L,F) | 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
| 2SA1313-Y(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 50MA S-MINI |
| 2SA1313-Y(TE85L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Bipolar Small-Signal Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1313-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
| 2SA1313YT5LFT | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM SIG POWER TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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