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參數資料
| 型號： | 2SA1381E-RA |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SA1381E-RA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3468D-AE | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC3504D-AJ | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SA1380-LS | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC4188-RB | 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC3417E-RA | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1381ESTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381FSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1382 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD -50V -2A .9W ECB |
| 2SA1382(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1382,T6MIBF(J | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 33mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:110MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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